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Galliumarsenid

Semiconductor materials processing

Was ist Galliumarsenid?

Galliumarsenid (GaAs) ist ein zusammengesetzter Halbleiter: eine Mischung aus zwei Elementen, Gallium und Arsen. Gallium ist ein Nebenprodukt aus dem Schmelzprozess anderer Metalle, vor allem Aluminium und Zink, und ist seltener als Gold. Arsen ist nicht selten, aber giftig.

Die Einsatzmöglichkeiten von Galliumarsenid variieren und beinhaltet die Benutzung in manchen Dioden,Feld-Effekt Transistoren (FETs) und integrierten Schaltungen (ICs). GaAs-Komponenten sind nützlich für ultra-hohe Radio-Frequenzen und für elektronische schnell umzuschaltende Anwendungen. Der Vorteil bei der Benutzung von GaAs in Bauteilen ist, dass weniger Lärm erzeugt als mit anderen Halbleiterkomponenten wird und sind daher nützlich für Anwedungen in schwachen Empfangsspannungsverstärkungen.

Außerdem wird Galliumarsenid bei der Herstellung von Leuchtdioden (LEDs) benötigt, die in optischen Kommunikatoren und Kontrollsystemen gefunden werden können. Auf Grund dieser Vorteile ist GaAs bei der Herstellung von linearen und digitalen ICs ein geeigneter Ersatz für Silizium.

Gallium Arsenide Fakten

  • Nicht wie Siliziumzellen , sind Galliumarsenid - Zellen relativ aufwendig zu erhitzen
  • Metalllegierungen aus GaAs und Aluminium, Phosphor, Antinom oder Indium haben Eigenschaften komplementär zu denen von Galliumarsenid und ermöglichen hohe Flexibilität
  • GaAs ist äußerst strahlungsbeständig. Das,zusammen mit seiner hohen Effizienz , macht GaAs sehr begehrenswert für Weltraumanwendungen
  • Dennoch hat Galliumarsenid Nachteile. Der größte Nachteil zum Erfolg von GaAs war bisher die hohe Kost eines einfach-kristall GaAs Substrates

Forscher suchen nach Möglichkeiten die Kosten für Galliumarsenid Bausteine zu verringern, wie z.B. durch die Herstellung von GaAs-Zellen auf günstigeren Substraten; dasAnreichern von GaAs Zellen auf einem erneuerbaren GaAs-Substrat; und selbst durch die Fertigung eines GaAs Dünnfilms, der ähnlich zu Dünnfilmen aus Kupfer-Indium-Diselenid und Cadmiumtelluid ist.

Typische Politurbedingungen von Galliumarsenid

Kratzerhärte (Mohn’s Skala): 3
Polierer: Wachs
Abrasivmittel: Linde A
Schmiermittel: 10% Chromic Acid
Ladung (g cm-2): 60 - 80
Maschine: Logitech PM5AC / LP50C
Spannvorichtung: Logitech PP5/6GT
   

Typische Läpp- und Politurergebnisse  

   
Planheit: 5 Ringe
Oberflächenabschluss: Ra 3-4nm
Materialabtragskontrolle: +/- 2 microns bis unter 100 microns
Parallelität +/- 2 microns

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