Haupteigenschaften
- Vollautomatische Bedienungskonsole für 100 programmierbare Prozessschritte
- Fertigt bis zu 8"ø Halbleiterwafer, einfache oder mehrfache IC / MST -Bausteine
- Joystickbedienung mit "Scroll Through" Menüführung
- Spülmechanismus für Polierbereich
Beschreibung
Der automatische CMP-Polisher CDP bietet für die Mehrheit aller Materialien, die heutzutage in der Elektronik- und Halbleiterindustrie benutzt werden, reproduzierbare Genauigkeiten bis auf Nanometerebene. Aufgrund der erzielten Präzision, der kostenoptimierten Anschaffung sowie der einfachen Nutzung, ist das CDP System die ideale Ausstattung für Anwendungen im CMP und Delayering Bereich.
Das CDP Auto System ermöglicht dem Anwender Industriestandards bezüglich Abtragsgenauigkeiten und Reproduzierbarkeiten im Bereich von CMP Polituren wie z.B. CMOS-Technologie,STI und Damascene (passable WTWNU und WIDNU) zu erzielen.
Das programmierbare Steuerungspanel kann bis zu 100 separate Prozessschritte speichern. Durch die Verknüpfbarkeit der einzelnen Schritte zum Ende eines Prozesses kann die Anwendung nach dem Abschluss des vorherigen
Bearbeitungsschrittes automatisch starten. Hierdurch wird eine hohe Flexibilität und Automatisierung gewährleistet. Individuelle Prozessspeicherungen für automatisiertes, wiederholbares Planarisieren und Delayering von IC Bausteinen, mehrere/ einzelne Dies und Wafern bis zu 8"ø können individuell über den Menügeführten Bildschirm erstellt werden.
Der Carriere für den/ die Wafer oder Substrate/ Dies kann Standard Wafer von 4“, 6“ oder 8“ aufnehmen. Alternativ lassen sich hier auch kleinere Wafer, bzw. Zwischengrößen bearbeiten. Sobald der Wafer auf dem Carrier befestigt wurde, wird der erforderliche Anpressdruck über die leicht bedienbare Joysticksteuerung eingegeben. Zusätzlich kann ein Rückseitendruck auf den Wafer mit einer maximalen Druckeinstellung von 36psi (systemabhängig) durch die Steuerung erzielt werden. Hierdurch kann eine hohe Homogenität auf der Waferoberfläche gewährleistet werden.
Die CDP Automatic besitzt optional einEnd Point Detektierung (EPD)System, welches durch eine anwendungsspezifische Software gesteuert wird. Durch das EPD1 System können Zwischenschritte zum Messen und Kontrollieren am Wafer minimiert werden.
Eine optionale Wet Bench,im selben Design wie das CDP System, ist zusätzlich adaptierbar und sorgt nach der Waferentnahme für eine Zufuhr/ Entsorgung von Di-Wasser und CMP Slurries. Hierdurch können auch autarke Versorgungslösungen als Modul für Anwender angeboten werden, die nicht über ein internes Ver-/Entsorgunssystem verfügen.
Produktoptionen
Dieses Produkt verfügt über keine Optionen.
Produktspezifikation
| Stromversorgung : | 220V/240V, 50Hz (einphasig) |
| Sicherung : | 16A x 2 |
| Plattengeschwindigkeit : | 0-160rpm |
| Wafer Carrier Geschwindigkeit : | 0-130rpm |
| Wafer Gegendruck : | 0-2bar |
| Carrier Anpressdruck : | 0-10bar |
| Plattengröße : | 510mm (20") |
| Maximale Plattentemperatur : | 60°C (140°F) |
| Poliersuspension Förderleistung : | 0-500mls/min |
| Planität des Poliertuches : | +/- 10µm |
| Timer : | 0-10 Stunden |
| Prozessrouten Speicher : | 100 Prozessrouten |
| Interner Wasserbehälter : | 3kW Heizkörper |
| Hauptantriebsmotor : | 2.2kW |
| Höhe : | 1854mm |
| Tiefe : | 935mm |
| Breite : | 665mm |
| Gewicht : | 650Kg (Bruttogewicht) 534Kg (Nettogewicht) |
Für mehr Informationen über das CDP Automatic - Chemo-mechanisches Poliersystem , rufen Sie uns an unter +44 (0)1389 875444 oder füllen Sie einfach unser Kontaktformular aus.