在材料处理领域，有时候很难区分使用研磨工艺是否好于打磨工艺。而这依靠于处理时你需要对材料所做的，可以说表面光洁度越好在样品的后继处理和加过程中就更容易。

.Logitech在材料处理领域有相当丰富的经验，而且也开发出了一些相关的工艺技术，不断的将结果做到最好。在此，我们给出为什么你必须尝试并获得可能最佳结果的定义：

晶圆打磨

问: 打磨过程是怎么样的?

回答: 打磨定义成一种强烈的加工工艺，它适合像金属的柔性材料。易碎材料，包括在晶形元素，在切割点处通过样品的其它部分来传导压力，这样就产生了一层碎裂材料。它通常是最小打磨轮粒度的三倍。即使采用最好35微米轮，它也会在表面下留下厚度达100微米的损伤层。

回答:这就要求所使用的材料要相当坚硬以承受高速度，高压力打磨工艺。这对于硅制备很好，但对于砷化镓这种更易碎的材料就不适合。

回答: 问题出现在两方面: 首先,砷化镓在打磨应力作用下会使晶片破裂。而任何破损都涉及到金钱损失和量产的降低。而自动系统中，打磨机会自动对样品进行传输，而有一点损坏会留下碎片导致剩余晶片的损害.

其次当晶片完全采用打磨工艺，对于晶格的损伤是相当大的。而这种损伤必须通过后继的工艺像抛光来去除。这意谓着打磨后还是需要保留相当的厚度，以备抛光时来去除减少损伤层。这样同时增加了抛光时间，也增加了晶片平整度变坏以及长时间抛光晶片表面变凸的危险。

回答: 当然，通过抛光。然而抛光目的是将抛光时间减到最小。这是量产的主要原因--你可以在提定时间内生产更多的晶片。而晶片抛光时间过长会使晶片变成凸型，而这将影响在开始时背减过程中得到的平整度。

回答:研磨相对来说是一个轻柔的操作，需要小的施加压力，悬浮液中由细颗粒组成的研磨料在晶片和磨盘间碾轧。研磨料和磨盘有多种，可根据使用材料选择。通常磨料选用9微米颗粒大小，而晶片样品固定在像PP5或PP6的精密研磨夹具上。

回答: .夹具对于晶圆压力可进行调节，意谓着易碎的材料也可以进行处理而不用担心破裂。因此它不仅使用于硅材料，同样也适用砷化镓的背减。

回答: 不会。正确设置研磨系统，不用担心晶片受损。除非是因为操作者失误（如晶片与料底间粘结不好导致的裂片）。

其次，与打磨相比，研磨没那么强势并且精细研磨料对于晶格的损伤都要小很多。这也意谓着对于抛光来说去除的量只需要二三十微米，并且大大减少了抛光时间及晶片平面度的损失。

回答: 当然。在背减操作中需要抛光的时间越短越好，对于像抛光砷化镓小于两分钟的化学机械抛光是理想的选择。对于背减工艺来说，首要的就是要达到高平整度和平行度。而这些都可通过研磨来实现。