主要特性
- 全自动控制面板加100条程序化工艺方案
- 加工尺寸到 8"直径半导体晶片，单个或多个用IC/MEMS 器件
- 滚动式菜单操作加操作杆操作
- 喷冲清洗装置
描述
CDP自动化抛光机提供可重复性纳米级的精度，用于当前器件制造工艺多数材料的处理。由于它的精确性，低成本和易使用性，CDP自动化抛光机给CMP和除层应用提供了理想的环境。
使用CDP自动可达到一些应用的控制和除层行业标准，如传统的CMOS技术和化学机械抛光应用像SIT和Damascene(达到中意的WTWNU和WIDNU）。
程序化的操作面板里可以存储100路相互独立的材料处理方案。每次可以自动启动这些设置好的方案进行抛光操作。对自动化及重复性的集成电路平坦化和除层抛光，多个和单独的器件和晶片尺寸最大可达8英寸，这些都可以通过控制屏来实现。
可用于两种不同的尺寸，晶片和器件的抛光头直径最大分别有4英寸和8英寸两种。当晶片固定到抛光头上，所需负载可以轻松的通过操纵杆来设定。用类似的方式可以将背压加到晶片上，最大可以设定36psi（不用的模型可以变化）。这样可以保证在晶片表面处理时抛光的平滑程度。
CDP自动有一个终点探测系统End Point Detection (EPD) ，这个系统使用定制软件来实时监控抛光操作而无需停工来进行测量。
一个可供选择的水柜，与CDP机器外形一样，可用于输送及存储抛光液和晶片器件的清洗用水。这个水柜可以和CDP机器连接在一起，给那些室内没有容器和输送系统的用户提供一个方便的选择。（废液容器也可以做为备选的一部份）
产品附件
本产品无其它附件.
产品规格
| 电源 : | 220V/240V, 50Hz (Single Phase) |
| 保险 : | 16A x 2 |
| 盘速度 : | 0-160rpm |
| 抛光头速度 : | 0-130rpm |
| 晶片背压 : | 0-2bar |
| 抛光头下压 : | 0-10bar |
| 盘尺寸 : | 510mm (20") |
| 最大盘温 : | 60°C (140°F) |
| 进料速度 : | 0-500mls/min |
| 抛光垫平整度 : | +/- 10µm |
| 定时器r : | 0-10 hours |
| 方案存储 : | 100 条 |
| 内部水箱 : | 3kW 加热元 |
| 主电机 : | 2.2kW |
| 高 : | 1854mm |
| 长 : | 935mm |
| 宽 : | 665mm |
| 重 : | 650Kg (毛重) 534Kg (净重) |
.需要更多关于CDP自动的信息，请至电 +86 (10)62564811，62538157或者填写我们的联系表格.