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Chemomechanisches Poliersystem CDP 300

CDP 300 - Chemical Mechanical Polishing System

Haupteigenschaften

  • Vollautomatische Bedienung plus 100 programmierbare Prozessschritte
  • Aufnahme für Halbleiterwafer bis ø 300 mm (IC- oder MEMS-Produktion)
  • Joystickbedienung mit "Scroll through"-Menüführung
  • Einfacher Lade- & Entnahmemechanismus für Wafercarrier

Beschreibung

Das CDP 300 Delayering und PlanarisierungsSystem ist mit seiner Kapazität für Wafer bis max. 300mm (12'') Durchmesser das größte CMP Polisher System im Produktangebot von Logitech. Es ist ideal für CMP Anwendungen wenn hochpräzise Ergebnisse bis auf den Nanometer Level benötigt werden. Mit dem CDP300 CMP Polisher werden für die Mehrheit aller Materialen, die in der heutigen Bausteinherstellung benutzt werden, exakte, reproduzierbare Ergebnisse erzielt.

Das Nutzungs Profil ist ebenfalls optimal abgestimmt, als fexibles CMP Tool im Bereich von Testsystemen für Poliermittelsuspension (CMP-Slurries), Tüchern (Pads) und Templates. Hierdurch werden keine Kapazitäten im Produktionsablauf gestoppt.

Die programmierbare Steuereinheit kann bis zu 100 Prozessschritten abspeichern.

Die automatisierte, reproduzierbare Planarisierung & Delayering von Wafern oder Komponenten kann bis zu einem maximalen Durchmesser von 300mm (12'') durchgeführt werden. Hierfür lassen sich Prozesse über die Menueführung im grafisch orientierten Display darstellen.

Verfahre

Wie alle CMP Polisher,ist der CDP 300 in einem chemikalienbeständigen Gehäuse integriert worden, um mit sauren und/oder basischen CMP-Slurries betrieben werden zu können.

Die Arbeitsfläche von 950mm (37.4'') Durchmesser auf der Polierscheibe ist ausgelegt für einem 12“ Wafer/ Die Carrier und einen zusätzlichen Konditionier- Kopf.

Alle wichtigen Prozessparameter, wie Scheibengeschwindigkeit, Carriergeschwindigkeit, Carrier Anpressdruck, Wafer Gegendruck, Poliersuspension und Scheibentemperatur können definiert und als Teil des Programms für Prozessabläufe gespeichert werden. Alle Parameter werden über eine Joysticksteuerung aktiviert, bzw. qualifiziert. Hierüber werden auch die eingestellten Prozessdaten gespeichert oder überschrieben.

Die Polierscheibe und der Wafer/ Komponenten Carrier des CDP 300 Polishers können mit Umdrehungsgeschwindigkeiten bis 160 U/min bidirektional betrieben werden.

vermögen über eine Geschwingigkeit bis zu 160rpm, entweder mit oder gegen den Uhrzeigersinn. Der Abricht- Kopf wird in einem zylinderförmigen Halterungsarm eingestellt, während die Richtungsparameter für die Platte und den Carrier als Teil des Einrichtens der Prozessroute definiert und gespeichert werden können.

Nach Aufnahme des Wafers auf dem Carrier, kann der erwünschte Anpressdruck mit der leicht zu bedienenden Joysticksteuerung eingegeben werden. Der Rückseiten Gegendruck auf den Wafer kann auf ähnliche Weise mit einer maximalen Einstellung von 36psi eingestellt werden, damit eine gleichmäßige CMP-Bearbeitung über die Oberfläche des Wafers gewährleisten werden kann.

Der CDP 300 Polisher verfügt optional über ein End Point Detektierungssystem. Mit Hilfe einer anwendungsspezifischen Software kann ein Echtzeit Monitoring durchgeführt werden. Hierdurch lassen sich zeitintensive Zwischenmessungen vermeiden.

Anwendungen

Der CDP 300 Polisher kann im Bereich der Endpolitur in Fabs für 300 mm Linien genutzt werden oder alternativ, als System im Bereich R&D, für Unternehmen, die mit Wafern und Komponenten mit großem Durchmesser arbeiten wollen.

Die erforderliche Industriestandards bezüglich Kontrollmöglichkeiten und Schichtenbeseitigung für die traditionelle CMOS-Technologie und CMP Anwendungen, wie zum Beispiel STI und Damascene (WTWNU und WIDNU sind erzielbar) werden alle durch den CDP 300 Polisher erfüllt. Zusätzlich können harte Materialien zur Vorbereitung von epitaxiefähigen/epi ready Prozessen oder für die Wafer Reclaiming poliert/ planarisiert werden. Ferner können "Laser Quality"- Oberflächen (0/0 scratch dig), Verbesserungen zur Oberflächentopographie mit Ra bis zu Subnanometern mit dem CDP 300 Polisher erzielt werden

Produktoptionen

End Point Detektierung EPD1

Produktspezifikation

Stromversorgung : 220/240 V, 50 Hz (3-phasig plus Null)
Scheibendrehzahl : 0-160 Upm
Carrierdrehzahl : 0-160 Upm
Wafer-Gegendruck : 0-50 psi
Carrier-Anpressdruck : 1-9 psi
Scheibengröße : 950 mm (37,4")
Maximale Scheibentemperatur : 60°C (140°F)
Schlamm, Fördermenge : 20-500 ml/min
PPlanität des Polier-Pads : +/- 10 µm
Timer : 0-10 Stunden
Datenspeicher : 100 Prozesse
Höhe : 2190 mm
Tiefe : 1450 mm
Breite : 1280 mm

 

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