主要特性
- 全自动控制面板加100条程序化工艺方案
- 加工尺寸到 300mm直径用于 IC或MEMS 生产的半导体晶片
- 滚动式菜单操作加操作杆操作
- 简单的晶片装载系统
描述
The 300mm (12")直径容量的CDP化学除层平坦化系统是Logitech CDP系列中最大的机型，能理想用于需要达到纳米级水平高精度的CMP应用。在当今器件制造到最大直径300mm (12")的诸多材料中，1CD91都可以提供高精度，高重复性的结果。
做为用于测试的机型来重复生产条件，CDP300可以为多种应用提供理想的解决方案，如在寻求测试新的CMP抛光液，在线分析抛光垫及模板。
程序化的操作面板里可以存储8路相互独立的材料处理方案。可以选择增加至64路，如果额外的设备需要的话。对于尺寸达12英寸的晶片及器件来说，自动化及可重复性的平坦化和除层都可以通过控制屏来实现。
操作
CPD300可用于酸和碱的抛光液，在其内部有一个装化学试剂的柜子。操作区域由一个直径950mm (37.4")的抛光盘，晶片抛光头及独立修盘头 结成。
主要的 工艺参数如盘速、抛光头速度、抛光头下压力 、背压、进料速度、盘温，都可以进行设置和存储。当启动CDP300时，控制面板 需要使用操作杆输入每个工艺参数。当所需选项输入后，按操作杆上边的选择按钮保存。然后这些工艺方案就可以根据处理的材料来进行改名。
CDP 300抛光盘及晶片/器件抛光头速度可达160转每分钟，而且转动方向可顺可逆。修盘头是安放在一个环形固定臂内，而盘和抛光头的方向参数可以通过修改存储做为工艺方案的一部分。
当晶片/器件固定到抛光头上，可以通过操作杆轻松设定所需负载。通过类似的方法可以给晶片施加最大36PSI的背压，以帮助晶片达到平稳的表面抛光速率。
CDP 300 还有一个终点检测系统，这个系统是定制使用，能实时监控抛光操作而不用为了测量而停工。
应用
做为测试机型CDP300可用于精炼在300mm制造间的生产过程;做为研发机型，CDP300可用于寻求大直径晶片或器件的应用。
使用CDP300，可实现用于传统CMOS技术和化学机械抛光应用如SIT和Damascene(达到中意的WTWNU和WIDNU）的控制除层行业标准。另外，可对硬材料进行平坦化达到外延生长表面或进行晶片回收。使用CDP300可实现镭射质量表面(0/0划道)，改善表面形貌及达到亚纳米级Ra.
产品附件
本产品无其它附件.
产品规格
| 电源 : | 220V/240V, 50Hz (3 phase plus neutral) |
| 盘速 : | 0-160rpm |
| 抛光头速度 : | 0-160rpm |
| 晶片背压 : | 0-50psi |
| 抛光头下压力 : | 1-9psi |
| 盘尺寸 : | 950mm (37.4") |
| 最大盘温 : | 60°C (140°F) |
| 进料速度 : | 20-500mls/min |
| 抛光垫平整度 : | +/- 10µm |
| 定时器 : | 0-10小时 |
| 可存储方案 : | 100条 |
| 高 : | 2190mm |
| 长 : | 1450mm |
| 宽 : | 1280mm |
需要更多关于CDP300的信息，请至电 +86 (10)62564811，62538157或者填写我们的联系表格.